LEDass bekannt als déi véiert Generatioun Beliichtungsquell oder gréng Liichtquell. Et huet d'Charakteristiken vun Energiespueren, Emweltschutz, laang Liewensdauer a klenge Volumen. Et gëtt vill a verschiddene Beräicher benotzt wéi Indikatioun, Display, Dekoratioun, Géigeliicht, allgemeng Beliichtung an urban Nuetszeen. No verschiddene Funktiounen kann et a fënnef Kategorien opgedeelt ginn: Informatiounsdisplay, Signallampe, Gefier Luuchten, LCD Géigeliicht an allgemeng Beliichtung.

KonventionellLED Luuchtenhunn Mängel wéi net genuch Hellegkeet, wat zu net genuch Pénétratioun féiert. Power LED Lampe huet d'Virdeeler vun genuch Hellegkeet a laang Liewensdauer, mee Power LED huet technesch Schwieregkeeten wéi Verpakung. Hei ass eng kuerz Analyse vun de Faktoren, déi d'Liichtextraktiounseffizienz vun der Power LED Verpackung beaflossen.

Verpackungsfaktoren déi d'Effizienz vun der Liichtextraktioun beaflossen

1. Hëtzt dissipation Technologie

Fir d'Liichtemittéierend Diode aus PN Kräizung, wann de Forward Stroum aus dem PN Kräizung fléisst, huet de PN Kräizung Wärmeverloscht. Dës Hëtzt gëtt duerch Klebstoff, Pottingmaterial, Heizkierper, asw an dësem Prozess an d'Loft gestrahlt. D'thermesch Resistenz ass e fixe Wäert bestëmmt duerch d'Gréisst, d'Struktur an d'Material vum Apparat.

Loosst d'thermesch Resistenz vun der LED rth (℃ / W) sinn an d'thermesch Vergëftungskraaft PD (W). Zu dëser Zäit klëmmt d'PN-Kräizungstemperatur verursaacht duerch den thermesche Verloscht vum Stroum op:

T(℃)=Rth&ZEIT; PD

PN Kräizung Temperatur:

TJ=TA+Rth&TImes; PD

Wou TA d'Ëmfeldstemperatur ass. D'Erhéijung vun der Kräizung Temperatur wäert d'Wahrscheinlechkeet vun PN Kräizung Liichtjoer Rekombinatioun reduzéieren, an der Hellegkeet vun LED wäert erofgoen. Zur selwechter Zäit, wéinst der Erhéijung vun der Temperaturerhéijung duerch Wärmeverloscht, wäert d'Helligkeit vun der LED net méi am Verhältnis zum Stroum eropgoen, dat heescht, et weist thermesch Sättigung. Zousätzlech, mat der Erhéijung vun der Kräizungtemperatur, wäert d'Spëtzewellelängt vun der Lumineszenz och an déi laang Welle Richtung dreiwen, ongeféier 0,2-0,3nm / ℃. Fir déi wäiss LED kritt duerch Mëschung YAG Phosphor Beschichtete vum bloe Chip, wäert d'Drift vu bloe Wellelängt Mëssverständnis mat der Excitatiounswellelängt vum Phosphor verursaachen, fir d'allgemeng Liichteffizienz vu wäiss LED ze reduzéieren an d'Faarftemperatur vu wäissem Liicht z'änneren.

Fir Power LED ass de Fuerestroum allgemeng méi wéi Honnerte vu Ma, an d'aktuell Dicht vum PN Kräizung ass ganz grouss, sou datt d'Temperaturerhéijung vum PN Kräizung ganz offensichtlech ass. Fir d'Verpakung an d'Applikatioun, wéi d'thermesch Resistenz vum Produkt ze reduzéieren an d'Hëtzt generéiert duerch PN-Kräizung sou séier wéi méiglech ze verdreiwen kann net nëmmen d'Sättigungsstroum vum Produkt verbesseren an d'Liichteffizienz vum Produkt verbesseren, awer och d'Verbesserung vum Produkt. Zouverlässegkeet an Liewensdauer vum Produkt. Fir d'thermesch Resistenz vu Produkter ze reduzéieren, éischtens ass d'Auswiel vu Verpackungsmaterialien besonnesch wichteg, dorënner Wärmebecher, Klebstoff, asw. . Zweetens soll de strukturellen Design raisonnabel sinn, d'Wärmeleitung tëscht Materialien soll kontinuéierlech ugepasst ginn, an d'Wärmeleitung tëscht Materialien soll gutt verbonne sinn, fir datt d'Wärmevergëftung am Wärmeleitungskanal vermeit an d'Wärmevergëftung vum bannen an der baussenzeger Schicht. Zur selwechter Zäit ass et néideg ze garantéieren datt d'Hëtzt an der Zäit entsprécht dem pre-designéierte Wärmevergëftungskanal.

2. Auswiel vun Filler

Geméiss dem Refraktiounsgesetz, wann d'Liicht vum Liichtdichte Medium op d'Liichtspaart Medium fällt, wann den Incidentwinkel e bestëmmte Wäert erreecht, dat heescht, méi wéi oder gläich mam kritesche Wénkel, wäert voll Emissioun optrieden. Fir GaN Blue Chip ass de Brechungsindex vum GaN Material 2,3. Wann d'Liicht vum Innere vum Kristall an d'Loft emittéiert gëtt, laut dem Refraktiounsgesetz, ass de kritesche Wénkel θ 0 = sin-1(n2/n1).

Wou N2 gläich 1 ass, dat heescht de Brechungsindex vun der Loft, an N1 de Brechungsindex vu Gan ass, aus deem de kritesche Wénkel berechent gëtt θ 0 ass ongeféier 25,8 Grad. An dësem Fall ass dat eenzegt Liicht dat emittéiert ka ginn d'Liicht am raimleche Festwénkel mam Infallswinkel ≤ 25,8 Grad. Et gëtt gemellt datt d'extern Quanteeffizienz vum Gan Chip ongeféier 30% - 40% ass. Dofir, wéinst der interner Absorptioun vum Chipkristall, ass den Undeel u Liicht, dat ausserhalb vum Kristall emittéiert ka ginn, ganz kleng. Et gëtt gemellt datt d'extern Quanteeffizienz vum Gan Chip ongeféier 30% - 40% ass. Ähnlech soll d'Liicht vum Chip emittéiert an de Raum duerch d'Verpackungsmaterial iwwerdroen ginn, an den Afloss vum Material op d'Liichtextraktiounseffizienz sollt och berücksichtegt ginn.

Dofir, fir d'Liichtextraktiounseffizienz vun der LED Produktverpackung ze verbesseren, muss de Wäert vun N2 erhéicht ginn, dat heescht, de Brechungsindex vum Verpackungsmaterial muss erhéicht ginn fir de kritesche Wénkel vum Produkt ze verbesseren, fir d'Verpakung ze verbesseren. Liichteffizienz vum Produkt. Zur selwechter Zäit sollt d'Liichtabsorptioun vu Verpackungsmaterialien kleng sinn. Fir den Undeel vun erausginn Liicht ze verbesseren, ass d'Package Form am léifsten archéiert oder hemisphäresch, sou datt wann d'Liicht vum Verpackungsmaterial an d'Loft emittéiert gëtt, et bal senkrecht zum Interface ass, sou datt et keng total Reflexioun gëtt.

3. Reflexiounsveraarbechtung

Et ginn zwee Haaptaspekter vun der Reflexiounsveraarbechtung: een ass d'Reflexiounsveraarbechtung am Chip, an deen aneren ass d'Reflexioun vum Liicht duerch Verpackungsmaterialien. Duerch d'intern an extern Reflexiounsveraarbechtung kann de Liichtfluxverhältnis aus dem Chip verbessert ginn, d'intern Absorptioun vum Chip kann reduzéiert ginn, an d'Liichteffizienz vu Power LED Produkter kann verbessert ginn. Wat d'Verpakung ugeet, montéiert d'Kraaft LED normalerweis den Power Chip op der Metallstützung oder Substrat mat Reflexiounskavitéit. D'Ënnerstëtzungstyp Reflexiounskavitéit adoptéiert allgemeng Elektroplatéierung fir de Reflexiounseffekt ze verbesseren, während d'Basisplack Reflexiounskavitéit allgemeng Polieren adoptéiert. Wa méiglech, gëtt d'Elektroplatebehandlung duerchgefouert, awer déi uewe genannte Behandlungsmethoden si vu Schimmelgenauegkeet a Prozess beaflosst, De veraarbechte Reflexiounskavitéit huet e gewësse Reflexiounseffekt, awer et ass net ideal. Am Moment, wéinst net genuch Poliergenauegkeet oder Oxidatioun vun der Metallbeschichtung, ass de Reflexiounseffekt vun der Substrattyp Reflexiounskavitéit a China aarm, wat zu vill Liicht absorbéiert gëtt nodeems se an d'Reflexiounsberäich geschoss ginn an net op d'Reflexiounsfläche reflektéiert kënne ginn. Liicht emittéierend Uewerfläch no dem erwaarten Zil, wat zu enger gerénger Liichtextraktiounseffizienz no der Finale Verpackung resultéiert.

4. Phosphor Auswiel a Beschichtung

Fir wäiss Power LED ass d'Verbesserung vun der Liichteffizienz och mat der Auswiel vu Phosphor a Prozessbehandlung verbonnen. Fir d'Effizienz vun der Phosphor-Excitatioun vum bloe Chip ze verbesseren, sollt als éischt d'Auswiel vu Phosphor passend sinn, och d'Excitatiounswellelängt, d'Partikelgréisst, d'Excitatiounseffizienz, etc. Zweetens, d'Beschichtung vum Phosphor soll eenheetlech sinn, am léifsten d'Dicke vun der Klebstoffschicht op all liichtemittéierend Uewerfläch vum liichtemittéierende Chip sollt eenheetlech sinn, fir net ze verhënneren datt lokal Liicht duerch ongläiche Dicke emittéiert gëtt, awer verbesseren och d'Qualitéit vum Liichtfleck.

Iwwersiicht:

Gutt Wärmevergëftungsdesign spillt eng bedeitend Roll bei der Verbesserung vun der Liichteffizienz vun de Power LED Produkter, an et ass och d'Viraussetzung fir d'Liewensdauer an d'Zouverlässegkeet vun de Produkter ze garantéieren. De gutt entworfene Liichtoutlet-Kanal konzentréiert sech op de strukturellen Design, d'Materialwahl an d'Prozessbehandlung vu Reflexiounskavitéit a Füllkleim, wat d'Liichtextraktiounseffizienz vun der Power LED effektiv verbesseren kann. Fir Muechtwäiss LED, D'Auswiel vu Phosphor a Prozessdesign sinn och ganz wichteg fir de Fleck an d'Liichteffizienz ze verbesseren.