Wat ass en LED Chip? Also wat sinn hir Charakteristiken? D'Fabrikatioun vu LED Chips zielt haaptsächlech fir effektiv an zouverlässeg niddereg ohm Kontaktelektroden ze produzéieren, déi de relativ klenge Spannungsfall tëscht Kontaktmaterialien entspriechen an Solderpads ubidden, wärend sou vill Liicht wéi méiglech emittéieren. De Filmtransferprozess benotzt allgemeng Vakuumverdampungsmethod. Ënner 4Pa Héichvakuum gëtt d'Material duerch Resistenzheizung oder Elektronenstrahl Bombardement Heizungsmethod geschmolt, an BZX79C18 gëtt an Metalldamp transforméiert an op der Uewerfläch vum Halbleitermaterial ënner nidderegen Drock deposéiert.
Déi allgemeng benotzt P-Typ Kontaktmetalle enthalen Legierungen wéi AuBe an AuZn, während d'N-Säit Kontaktmetall dacks aus AuGeNi Legierung gemaach gëtt. D'Legierungsschicht, déi no der Beschichtung geformt gëtt, muss och d'Liichtemittéierend Gebitt sou vill wéi méiglech duerch Photolithographietechnologie aussetzen, sou datt déi verbleiwen Legierungsschicht den Ufuerderunge vun effektiven an zouverléissege nidderegen ohmesche Kontaktelektroden a Lötdrahtpads entspriechen. Nodeems de Photolithographieprozess ofgeschloss ass, gëtt och en Legierungsprozess duerchgefouert, normalerweis ënner dem Schutz vun H2 oder N2. D'Zäit an d'Temperatur vun der Legierung ginn normalerweis vu Faktore festgeluegt wéi d'Charakteristike vun Hallefleitmaterialien an d'Form vum Legierungsofen. Natierlech, wann den Elektrodenprozess fir blo-gréng Chips méi komplex ass, musse Passivatiounsfilmwachstum a Plasma Ätzprozesser derbäi ginn.

Am Fabrikatiounsprozess vun LED Chips, wéi eng Prozesser hunn e wesentlechen Impakt op hir optoelektronesch Leeschtung?
Am Allgemengen, no der Fäerdegstellung vun der LED Epitaxialproduktioun, sinn hir Haaptelektresch Eegeschafte finaliséiert ginn, an d'Chipfabrikatioun ännert seng Kär Natur net. Wéi och ëmmer, onpassend Bedéngungen wärend Beschichtungs- an Legierungsprozesser kënnen e puer schlecht elektresch Parameter verursaachen. Zum Beispill, niddereg oder héich Legierungstemperaturen kënnen e schlechten ohmesche Kontakt verursaachen, wat den Haaptgrond ass fir héije Spannungsfall VF bei der Chipfabrikatioun. Nom Ausschneiden kann e puer Korrosiounsprozesser op de Kante vum Chip hëllefe fir d'Réckleckage vum Chip ze verbesseren. Dëst ass well nom Ausschneiden mat engem Diamantschleifradblade, et wäert eng grouss Quantitéit vu Schuttpulver um Rand vum Chip bleiwen. Wann dës Partikelen un der PN-Kräizung vum LED-Chip halen, verursaache se elektresch Leckage a souguer Decompte. Zousätzlech, wann de Photoresist op der Uewerfläch vum Chip net propper ofgeschleeft gëtt, wäert et Schwieregkeeten a virtuelle Solderung vun de Front-Lötleitungen verursaachen. Wann et op der Réck ass, wäert et och en héijen Drockfall verursaachen. Wärend dem Chipproduktiounsprozess kënne Methoden wéi d'Uewerflächraufung an d'Ausschneiden an ëmgedréint trapezoidal Strukturen d'Liichtintensitéit erhéijen.

Firwat sinn LED Chips a verschidde Gréissten opgedeelt? Wat sinn d'Effekter vun der Gréisst op d'fotoelektresch Leeschtung vun LED?
D'Gréisst vun LED Chips kënnen opgedeelt ginn an Low-Power Chips, Medium Power Chips, an High-Power Chips no hirer Kraaft. No Client Ufuerderunge, kann et a Kategorien ënnerdeelt ginn wéi eenzel Rouer Niveau, digital Niveau, Punkt Matrixentgasung Niveau, an dekorativen Beliichtung. Wat d'spezifesch Gréisst vum Chip ugeet, hänkt et vum aktuellen Produktiounsniveau vu verschiddenen Chiphersteller of an et gi keng spezifesch Ufuerderungen. Soulaang wéi de Prozess bis zu Standard ass, kënnen kleng Chips d'Eenheetsausgab erhéijen an d'Käschte reduzéieren, an d'optoelektronesch Leeschtung wäert keng fundamental Ännerungen erliewen. De Stroum, deen vun engem Chip benotzt gëtt, ass tatsächlech verbonne mat der aktueller Dicht, déi duerch et fléisst. E klengen Chip benotzt manner Stroum, während e groussen Chip méi Stroum benotzt. Hir Eenheet aktuell Dicht ass am Fong d'selwecht. Bedenkt datt d'Hëtztvergëftung d'Haaptthema ënner héije Stroum ass, ass seng Liichteffizienz manner wéi déi ënner nidderegem Stroum. Op der anerer Säit, wéi d'Gebitt eropgeet, wäert d'Kierperresistenz vum Chip erofgoen, wat zu enger Ofsenkung vun der Forwardleitungsspannung resultéiert.

Wat ass dat typesch Gebitt vun LED High-Power Chips? Firwat?
LED High-Power Chips, déi fir wäiss Liicht benotzt ginn, sinn allgemeng um Maart bei ongeféier 40mil verfügbar, an de Stroumverbrauch vun High-Power Chips bezitt sech allgemeng op elektresch Kraaft iwwer 1W. Wéinst der Tatsaach, datt d'Quanteeffizienz allgemeng manner wéi 20% ass, gëtt déi meescht elektresch Energie an Hëtztenergie ëmgewandelt, sou datt d'Hëtztvergëftung vu High-Power Chips ganz wichteg ass a Chips erfuerdert fir e grousst Gebitt ze hunn.

Wat sinn déi verschidden Ufuerderunge fir den Chipprozess a Veraarbechtungsausrüstung fir GaN epitaxial Materialien ze fabrizéieren am Verglach zum GaP, GaAs, an InGaAlP? Firwat?
D'Substrate vun gewéinleche LED rout a giel Chips an héich Hellegkeet quaternary rout a giel Chips sinn aus Compound Halbleitermaterialien wéi GaP a GaAs gemaach, a kënnen allgemeng zu N-Typ Substrate gemaach ginn. Naass Prozess gëtt fir Photolithographie benotzt, an dann Diamant Schleifrad Blades gi benotzt fir a Chips ze schneiden. De blo-grénge Chip aus GaN Material benotzt e Saphir Substrat. Wéinst der isoléierender Natur vum Saphir-Substrat kann et net als eng Elektrode vun der LED benotzt ginn. Dofir musse béid P / N Elektroden gläichzäiteg op der epitaxialer Uewerfläch duerch dréchen Ätzprozess fabrizéiert ginn, an e puer Passivéierungsprozesser mussen duerchgefouert ginn. Wéinst der Härtheet vu Saphir ass et schwéier et a Chips mat engem Diamantschleifradblade ze schneiden. Säi Fabrikatiounsprozess ass allgemeng méi komplex a komplizéiert wéi LEDs aus GaP oder GaAs Materialien.

Wat sinn d'Struktur an d'Charakteristiken vun der "transparent Elektroden" Chip?
Déi sougenannt transparent Elektrode muss konduktiv an transparent sinn. Dëst Material gëtt elo wäit a Flëssegkristallproduktiounsprozesser benotzt, a säin Numm ass Indium Zinnoxid, verkierzt als ITO, awer et kann net als Lötpad benotzt ginn. Wann Dir maacht, maacht fir d'éischt eng ohmesch Elektrode op der Uewerfläch vum Chip, da bedecken d'Uewerfläch mat enger Schicht ITO a plackéiert eng Schicht Lötpad op der ITO Uewerfläch. Op dës Manéier gëtt de Stroum, deen aus der Lead erofgeet, gläichméisseg op all ohm Kontaktelektrode duerch d'ITO Schicht verdeelt. Zur selwechter Zäit kann ITO, wéinst sengem Brechungsindex tëscht deem vu Loft an epitaxialen Materialien, de Wénkel vun der Liichtemissioun an de Liichtflux erhéijen.

Wat ass d'Mainstream Entwécklung vun der Chip Technologie fir Hallefleitbeliichtung?
Mat der Entwécklung vun der Halbleiter LED Technologie ass seng Uwendung am Beräich vun der Beliichtung och eropgaang, besonnesch d'Entstoe vu wäiss LED, wat e waarmt Thema an der Hallefleitbeliichtung ginn ass. Wéi och ëmmer, Schlësselchip- a Verpackungstechnologien mussen nach verbessert ginn, a wat Chips ugeet, musse mir eis Richtung héich Kraaft, héich Liichteffizienz a reduzéierter thermesch Resistenz entwéckelen. D'Erhéijung vun der Kraaft bedeit eng Erhéijung vum Stroum, deen vum Chip benotzt gëtt, an e méi direkten Wee ass d'Chipgréisst ze erhéijen. Déi allgemeng benotzt High-Power Chips si ronn 1mm × 1mm, mat engem Stroum vun 350mA. Wéinst der Erhéijung vun der aktueller Notzung ass d'Hëtztvergëftung e prominente Problem ginn, an elo ass dëse Problem am Fong geléist ginn duerch d'Methode vun der Chipinversioun. Mat der Entwécklung vun der LED Technologie wäert seng Uwendung am Beräich vun der Beliichtung onendlech Méiglechkeeten an Erausfuerderunge stellen.

Wat ass e "Flip Chip"? Wat ass seng Struktur? Wat sinn hir Virdeeler?
Blo LED benotzt normalerweis Al2O3 Substrat, deen héich Härtheet, geréng thermesch an elektresch Konduktivitéit huet. Wann eng positiv Struktur benotzt gëtt, bréngt et engersäits antistatesch Problemer, an op der anerer Säit gëtt d'Wärmevergëftung och e grousst Thema ënner héije Stroumbedéngungen. Mëttlerweil, wéinst der positiver Elektrode no uewen, gëtt en Deel vum Liicht blockéiert, wat zu enger Ofsenkung vun der Liichteffizienz resultéiert. Héich Kraaft blo LED kann méi effektiv Liichtoutput duerch Chip Inversion Technologie erreechen wéi traditionell Verpackungstechnologie.
D'Mainstream Inverted Struktur Method ass elo fir d'éischt grouss Gréisst blo LED Chips mat passenden eutektesche Lötelektroden virzebereeden, a gläichzäiteg e bësse méi grouss Siliziumsubstrat ze preparéieren wéi de bloe LED Chip, an dann eng Goldleitend Schicht ze maachen an Drot erauszekréien Layer (ultrasonic Golddrot Ball solder gemeinsame) fir eutectic soldering op et. Dann gëtt den High-Power bloe LED-Chip op de Silizium-Substrat mat eutektesche Lötausrüstung solderéiert.
D'Charakteristik vun dëser Struktur ass datt d'Epitaxialschicht direkt de Siliziumsubstrat kontaktéiert, an d'thermesch Resistenz vum Siliziumsubstrat ass vill manner wéi déi vum Saphirsubstrat, sou datt de Problem vun der Wärmevergëftung gutt geléist ass. Wéinst dem ëmgedréint Saphir Substrat no uewen, gëtt et d'Liicht emittéierend Uewerfläch, a Saphir ass transparent, sou datt de Problem vun der Liichtemissioun léist. Dat hei uewen ass dat relevant Wëssen iwwer LED Technologie. Mir gleewen datt mat der Entwécklung vu Wëssenschaft an Technologie zukünfteg LED Luuchten ëmmer méi effizient ginn an hir Liewensdauer staark verbessert ginn, wat eis méi Komfort bréngt.