Wat ass en LED Chip? Also wat sinn hir Charakteristiken? Den Haaptzweck vun der LED Chip Fabrikatioun ass effektiv an zouverlässeg niddereg Ohm Kontaktelektroden ze fabrizéieren, an de relativ klenge Spannungsfall tëscht kontaktéierbare Materialien z'erreechen an Drockpads fir d'Lötdrähte ze bidden, wärend d'Quantitéit vum Liichtoutput maximéiert. De Kräizfilmprozess benotzt allgemeng Vakuumverdampungsmethod. Ënnert engem héije Vakuum vu 4Pa gëtt d'Material duerch Resistenzheizung oder Elektronenstrahl Bombardement Heizungsmethod geschmolt, an BZX79C18 gëtt an Metalldamp transforméiert an op der Uewerfläch vum Halbleitermaterial ënner nidderegen Drock deposéiert.
Déi allgemeng benotzt P-Typ Kontaktmetaller enthalen Legierungen wéi AuBe an AuZn, während d'Kontaktmetall op der N-Säit dacks aus AuGeNi-Legierung gemaach gëtt. D'Legierungsschicht, déi no der Beschichtung geformt gëtt, muss och sou vill wéi méiglech am Liichtgebitt duerch Photolithographie-Prozess ausgesat ginn, sou datt déi verbleiwen Legierungsschicht den Ufuerderunge vun effektiven an zouverléissege Low-Ohm-Kontaktelektroden a Lötdrahtdrockpads erfëllen. Nodeems de Photolithographieprozess ofgeschloss ass, muss et och duerch den Legierungsprozess goen, deen normalerweis ënner dem Schutz vun H2 oder N2 duerchgefouert gëtt. D'Zäit an d'Temperatur vun der Legierung ginn normalerweis vu Faktore festgeluegt wéi d'Charakteristike vun Hallefleitmaterialien an d'Form vum Legierungsofen. Natierlech, wann d'blo-gréng an aner Chip Elektroden Prozesser méi komplex sinn, ass et néideg Passivatioun Film Wuesstem, Plasma Ätz Prozesser, etc.
Am Fabrikatiounsprozess vun LED Chips, wéi eng Prozesser hunn e wesentlechen Impakt op hir optoelektronesch Leeschtung?
Am Allgemengen, no der Fäerdegstellung vun der LED Epitaxialproduktioun, ass seng Haaptelektresch Leeschtung finaliséiert ginn, an d'Chipfabrikatioun ännert seng Kärproduktiounsnatur net. Wéi och ëmmer, onpassend Konditioune wärend der Beschichtung an der Legierungsprozess kënnen e puer elektresch Parameteren aarm sinn. Zum Beispill, niddereg oder héich Legierungstemperaturen kënnen e schlechten Ohmesche Kontakt verursaachen, wat d'Haaptursaach vum héije Forward Volt drop VF an der Chipfabrikatioun ass. Nom Ausschneiden kënnen e puer Korrosiounsprozesser op de Kante vum Chip hëllefräich sinn fir de Réckleck vum Chip ze verbesseren. Dëst ass well nom Ausschneiden mat engem Diamantschleifradblade vill Reschtoffall a Pudder um Rand vum Chip sinn. Wann dës Partikelen un der PN-Kräizung vum LED-Chip halen, verursaache se elektresch Leckage a souguer Decompte. Ausserdeem, wann d'Fotoresist op der Uewerfläch vum Chip net propper ofgeschleeft gëtt, wäert et Schwieregkeeten am Viraussolderung a virtueller Löt verursaachen. Wann et op der Réck ass, wäert et och en héijen Drockfall verursaachen. Wärend dem Chipproduktiounsprozess kënnen d'Uewerflächenrauwen a trapezoidal Strukture benotzt ginn fir d'Liichtintensitéit ze erhéijen.
Firwat mussen LED Chips a verschidde Gréissten opgedeelt ginn? Wat ass den Impakt vun der Gréisst op LED optoelektronesch Leeschtung?
LED Chips kënnen a Low-Power Chips, Medium Power Chips, an High-Power Chips op Basis vu Kraaft opgedeelt ginn. No Client Ufuerderunge, kann et a Kategorien ënnerdeelt ginn wéi eenzel Rouer Niveau, digital Niveau, Punkt Matrixentgasung Niveau, an dekorativen Beliichtung. Wat d'spezifesch Gréisst vum Chip ugeet, hänkt et vum aktuellen Produktiounsniveau vu verschiddenen Chiphersteller of an et gi keng spezifesch Ufuerderungen. Soulaang wéi de Prozess passéiert ass, kann den Chip d'Eenheetausgang erhéijen an d'Käschte reduzéieren, an d'fotoelektresch Leeschtung wäert keng fundamental Ännerunge maachen. De Stroum, deen vun engem Chip benotzt gëtt, ass tatsächlech verbonne mat der aktueller Dicht déi duerch den Chip fléisst. E klengen Chip benotzt manner Stroum, während e groussen Chip méi Stroum benotzt, an hir Eenheetstroumdicht ass am Fong d'selwecht. Bedenkt datt d'Hëtztvergëftung den Haaptproblem ënner héije Stroum ass, ass seng Liichteffizienz manner wéi déi ënner nidderegem Stroum. Op der anerer Säit, wéi d'Gebitt eropgeet, wäert d'Kierperresistenz vum Chip erofgoen, wat zu enger Ofsenkung vun der Forwardleitungsspannung resultéiert.

Wat ass den allgemenge Beräich vun LED High-Power Chips? Firwat?
LED High-Power Chips, déi fir wäiss Liicht benotzt ginn, ginn allgemeng um Maart bei ongeféier 40mil gesi, an d'Kraaft benotzt fir High-Power Chips bezitt sech allgemeng op eng elektresch Kraaft vun iwwer 1W. Wéinst der Quanteeffizienz ass allgemeng manner wéi 20%, gëtt déi meescht elektresch Energie an thermesch Energie ëmgewandelt, sou datt d'Hëtztvergëftung wichteg ass fir High-Power Chips, wat erfuerdert datt se e grousst Gebitt hunn.
Wat sinn déi verschidden Ufuerderunge fir Chiptechnologie a Veraarbechtungsausrüstung fir GaN epitaxial Materialien ze fabrizéieren am Verglach mam GaP, GaAs, an InGaAlP? Firwat?
D'Substrate vun gewéinleche LED rout a giel Chips an héich Hellegkeet quaternär rout a giel Chips benotzen allebéid zesummegesate Hallefleitmaterialien wéi GaP a GaAs, a kënnen allgemeng zu N-Typ Substrate gemaach ginn. Benotzt naass Prozess fir Photolithographie, a spéider a Chips ze schneiden mat Diamantschleifradblades. De blo-grénge Chip aus GaN Material benotzt e Saphir Substrat. Wéinst der isoléierender Natur vum Saphir Substrat kann et net als LED Elektrode benotzt ginn. Dofir musse béid P / N Elektroden op der epitaxialer Uewerfläch duerch dréchen Ätz gemaach ginn an e puer Passivéierungsprozesser musse gemaach ginn. Wéinst der Härtheet vu Saphir ass et schwéier an Chips mat Diamanten Schleifradblades ze schneiden. Säi Fabrikatiounsprozess ass allgemeng méi komplex wéi dee vu GaP a GaAs Materialien firLED Héichwaasser Luuchten.

Wat ass d'Struktur an d'Charakteristiken vun engem "transparent Elektroden" Chip?
Déi sougenannt transparent Elektrode soll Elektrizitéit féieren a fäeg sinn d'Liicht ze vermëttelen. Dëst Material gëtt elo wäit a Flëssegkristallproduktiounsprozesser benotzt, a säin Numm ass Indium Zinnoxid, verkierzt als ITO, awer et kann net als Lötpad benotzt ginn. Wann Dir maacht, ass et néideg fir d'éischt eng ohmesch Elektrode op der Uewerfläch vum Chip ze preparéieren, dann d'Uewerfläch mat enger Schicht ITO ze decken, an dann eng Schicht vu Lötpads op der ITO Uewerfläch deposéieren. Op dës Manéier gëtt de Stroum, deen aus dem Leaddrat erofgeet, gläichméisseg iwwer d'ITO Schicht op all ohmesch Kontaktelektrode verdeelt. Zur selwechter Zäit, wéinst dem Brechungsindex vun ITO tëscht der Loft an dem Brechungsindex vum epitaxialen Material, kann de Liichtwénkel erhéicht ginn, an de Liichtflux kann och erhéicht ginn.

Wat ass d'Mainstream Entwécklung vun der Chip Technologie fir Hallefleitbeliichtung?
Mat der Entwécklung vun der Halbleiter LED Technologie ass seng Uwendung am Beräich vun der Beliichtung och eropgaang, besonnesch d'Entstoe vu wäiss LED, wat e waarmt Thema an der Hallefleitbeliichtung ginn ass. Wéi och ëmmer, d'Schlësselchips a Verpackungstechnologien mussen nach ëmmer verbessert ginn, an d'Entwécklung vu Chips soll op héich Kraaft, héich Liichteffizienz an d'Reduktioun vun der thermescher Resistenz fokusséieren. D'Erhéijung vun der Kraaft heescht d'Erhéijung vun der Notzungsstroum vum Chip, an e méi direkten Wee ass d'Chipgréisst ze erhéijen. Déi allgemeng benotzt High-Power Chips si ronn 1mm x 1mm, mat engem Benotzungsstroum vun 350mA. Wéinst der Erhéijung vun der Notzungsstroum ass d'Hëtztvergëftung e prominente Problem ginn. Elo huet d'Methode vun der Chipinversioun am Fong dëse Problem geléist. Mat der Entwécklung vun der LED Technologie wäert seng Uwendung am Beliichtungsfeld onendlech Méiglechkeeten an Erausfuerderunge stellen.
Wat ass en ëmgedréint Chip? Wat ass seng Struktur a wat sinn hir Virdeeler?
Blo Luucht LEDs benotzen normalerweis Al2O3 Substrate, déi héich Hardness, niddereg thermesch Konduktivitéit an elektresch Konduktivitéit hunn. Wann eng formell Struktur benotzt gëtt, bréngt se engersäits antistatesch Problemer, an op der anerer Säit gëtt d'Hëtztvergëftung och e grousse Problem ënner héije Stroumbedéngungen. Zur selwechter Zäit, wéinst der positiver Elektrode no uewen, wäert et e puer vum Liicht blockéieren an d'Liichteffizienz reduzéieren. Héich Kraaft blo Liicht LEDs kënne méi effektiv Liichtoutput duerch Chip Flip Technologie erreechen wéi traditionell Verpackungstechniken.
Déi aktuell Mainstream Inverted Struktur Approche ass fir d'éischt grouss Gréisst blo Liicht LED Chips mat passenden eutektesche Schweißelektroden virzebereeden, a gläichzäiteg e Siliziumsubstrat e bësse méi grouss wéi de bloe Liicht LED Chip ze preparéieren, an op der Spëtzt e maachen. Goldleitungsschicht fir eutetesch Schweißen an eng Lead-Out-Schicht (ultrasonic Golddrot Kugel-Lodverbindung). Dann gi High-Power blo LED Chips zesumme mat Siliziumsubstrater mat eutektesche Schweißausrüstung solderéiert.
D'Charakteristik vun dëser Struktur ass datt d'Epitaxialschicht direkt de Siliziumsubstrat kontaktéiert, an d'thermesch Resistenz vum Siliziumsubstrat ass vill manner wéi déi vum Saphirsubstrat, sou datt de Problem vun der Wärmevergëftung gutt geléist ass. Wéinst der Tatsaach, datt de Saphir-Substrat no der Inversioun no uewen steet, gëtt d'Emittéierend Uewerfläch, ass d'Saphir transparent, sou datt de Problem vun der Emissioun vum Liicht léist. Dat hei uewen ass dat relevant Wëssen iwwer LED Technologie. Ech gleewen datt mat der Entwécklung vu Wëssenschaft an Technologie,LED Luuchtenwäert an Zukunft méi a méi efficace ginn, an hire Service Liewen wäert vill verbessert ginn, bréngt eis méi Komfort.