Wat ass engLED Chip? Also wat sinn hir Charakteristiken?LED Chip Fabrikatiounass haaptsächlech fir effikass an zouverlässeg niddereg ohm Kontakt Elektroden ze Fabrikatioun, treffen de relativ klenge Spannungsfall tëscht de kontaktable Materialien, déi Drock Pad fir de Schweess Drot, a gläichzäiteg, sou vill Liicht wéi méiglech. Den Iwwergangsfilmprozess benotzt allgemeng Vakuumverdampungsmethod. Ënner 4Pa Héichvakuum ginn d'Materialien duerch Resistenzheizung oder Elektronenstrahl Bombardementheizung geschmolt, an BZX79C18 gëtt an Metalldamp ëmgewandelt fir op der Uewerfläch vun Halbleitermaterialien ënner nidderegen Drock ze deposéieren.

Déi allgemeng benotzt P-Typ Kontaktmetaller enthalen AuBe, AuZn an aner Legierungen, an d'Kontaktmetaller op der N-Säit sinn normalerweis AuGeNi Legierungen. D'Legierungsschicht, déi no der Beschichtung geformt gëtt, muss och d'Liichtfläch esou vill wéi méiglech duerch Photolithographie aussetzen, sou datt déi verbleiwen Legierungsschicht d'Ufuerderunge vun enger effektiver an zouverléisseger Low-Ohm Kontaktelektrode a Schweesslinn Pad erfëllen kann. Nodeems de Photolithographieprozess ofgeschloss ass, gëtt den Legierungsprozess ënner dem Schutz vun H2 oder N2 duerchgefouert. D'Zäit an d'Temperatur vun der Legierung ginn normalerweis no de Charakteristiken vun Halbleitermaterialien an der Form vum Legierungsofen bestëmmt. Natierlech, wann den Chip Elektroden Prozess wéi blo-gréngen ass méi komplex, de passive Film Wuesstem a Plasma Ätz Prozess muss dobäi ginn.

Am LED Chip Fabrikatiounsprozess, wéi eng Prozesser hunn e wichtegen Impakt op seng photoelektresch Leeschtung?

Am Allgemengen, no der Fäerdegstellung vun der LED Epitaxialproduktioun, ass seng Haaptelektresch Leeschtung finaliséiert. D'Chipfabrikatioun wäert seng Kärproduktiounsnatur net änneren, awer ongerecht Konditiounen am Beschichtungs- an Legierungsprozess verursaachen e puer elektresch Parameteren aarm. Zum Beispill, niddereg oder héich Legierungstemperatur wäert e schlechten ohmesche Kontakt verursaachen, wat den Haaptgrond ass fir héich Forward Volt drop VF an der Chipfabrikatioun. Nom Ausschneiden, wann e puer Ätzprozess op der Chiprand duerchgefouert gëtt, ass et hëllefräich fir de Réckleck vum Chip ze verbesseren. Dëst ass well nom Ausschneiden mat engem Diamantschleifradblad, et gëtt vill Schuttpulver op der Chipkante lénks. Wann dës Partikelen un der PN-Kräizung vum LED-Chip halen, verursaache se elektresch Leckage, oder souguer Decompte. Zousätzlech, wann de Photoresist op der Chipfläch net propper ofgeschleeft gëtt, wäert et Schwieregkeete bei der Frontdrahtverbindung a falscher Löt verursaachen. Wann et de Réck ass, wäert et och en héijen Drockfall verursaachen. Am Prozess vun der Chipproduktioun kann d'Liichtintensitéit verbessert ginn duerch d'Uewerfläch roughening an d'Ofschneiden an ëmgedréint trapezoid Struktur.

Firwat sinn LED Chips a verschidde Gréissten opgedeelt? Wat sinn d'Auswierkunge vun der Gréisst opLED photoelektreschLeeschtung?

LED Chip Gréisst kann a klenge Power Chip, mëttel Kraaft Chip an High Power Chip opgedeelt ginn no Kraaft. No Client Ufuerderunge, kann et an eenzel Rouer Niveau, digital Niveau, Gitter Niveau an dekorativen Beliichtung an aner Kategorien ënnerdeelt ginn. Déi spezifesch Gréisst vum Chip hänkt op der aktueller Produktioun Niveau vun verschiddenen Chip Hiersteller, an et gëtt keng spezifesch Noutwendegkeete. Soulaang de Prozess qualifizéiert ass, kann den Chip d'Eenheetausgang verbesseren an d'Käschte reduzéieren, an d'fotoelektresch Leeschtung wäert net grondsätzlech änneren. De Stroum, deen vum Chip benotzt gëtt, ass tatsächlech verbonne mat der aktueller Dicht déi duerch den Chip fléisst. De Stroum benotzt vum Chip ass kleng an de Stroum benotzt vum Chip ass grouss. Hir Eenheet aktuell Dicht ass am Fong d'selwecht. Bedenkt datt d'Hëtztvergëftung den Haaptproblem ënner héije Stroum ass, ass seng Liichteffizienz manner wéi déi ënner nidderegem Stroum. Op der anerer Säit, wéi d'Gebitt eropgeet, wäert d'Volumenresistenz vum Chip erofgoen, sou datt d'Forwardleitungsspannung erof geet.

Wéi eng Gréisst Chip bezitt LED High-Power Chip allgemeng op? Firwat?

LED High-Power Chips, déi fir wäiss Liicht benotzt ginn, kënnen allgemeng um Maart bei ongeféier 40 Mils gesi ginn, an déi sougenannte High-Power Chips bedeiten allgemeng datt d'elektresch Kraaft méi wéi 1W ass. Zënter datt d'Quanteeffizienz allgemeng manner wéi 20% ass, gëtt de gréissten Deel vun der elektrescher Energie an Hëtztenergie ëmgewandelt, sou datt d'Wärmevergëftung vu High-Power Chips ganz wichteg ass, a erfuerdert e méi grousst Chipgebitt.

Wat sinn déi verschidde Ufuerderunge vum Chipprozess a Veraarbechtungsausrüstung fir GaN epitaxial Materialien ze fabrizéieren am Verglach mam GaP, GaAs an InGaAlP? Firwat?

D'Substrate vun gewéinleche LED rout a giel Chips an helle quaternär roude a giel Chips sinn aus GaP, GaAs an aner Compound Halbleitermaterialien, déi allgemeng an N-Typ Substrate gemaach kënne ginn. De naass Prozess gëtt fir Photolithographie benotzt, a spéider gëtt d'Diamantradblade benotzt fir a Chips ze schneiden. De blo-grénge Chip vu GaN Material ass e Saphir Substrat. Well de Saphir Substrat isoléiert ass, kann et net als LED Pole benotzt ginn. D'P/N Elektroden mussen op der epitaxialer Uewerfläch gläichzäiteg duerch en dréchen Ätzprozess gemaach ginn an och duerch e puer Passivatiounsprozesser. Well Saphir ganz schwéier sinn, ass et schwéier Chips mat Diamanten Schleifradblades ze schneiden. Säi Prozess ass allgemeng méi komplizéiert wéi dee vu GaP a GaAs LEDs.

Wat ass d'Struktur an d'Charakteristike vum "transparente Elektroden" Chip?

Déi sougenannt transparent Elektrode soll Elektrizitéit a Liicht kënne féieren. Dëst Material ass elo wäit am Flëssegkristallproduktiounsprozess benotzt. Säin Numm ass Indium Tin Oxide (ITO), awer et kann net als Schweesspad benotzt ginn. Wärend der Fabrikatioun soll d'ohmic Elektrode op der Chipfläch gemaach ginn, an dann eng Schicht ITO op der Uewerfläch beschichtet ginn, an dann eng Schicht Schweesspad op der ITO Uewerfläch beschichtet ginn. Op dës Manéier gëtt de Stroum vum Lead gläichméisseg op all ohm Kontaktelektrode duerch d'ITO Schicht verdeelt. Zur selwechter Zäit, well den ITO Brechungsindex tëscht der Loft an dem Brechungsindex vum epitaxiale Material ass, kann de Liichtwénkel erhéicht ginn, an de Liichtflux kann och erhéicht ginn.

Wat ass den Mainstream vun der Chiptechnologie fir Hallefleitbeliichtung?

Mat der Entwécklung vun der Halbleiter LED Technologie sinn hir Uwendungen am Beräich vun der Beliichtung ëmmer méi, besonnesch d'Entstoe vu wäiss LED, déi de Fokus vun der Hallefleitbeliichtung ginn ass. Wéi och ëmmer, de Schlësselchip a Verpackungstechnologie muss nach verbessert ginn, an den Chip soll Richtung héich Kraaft, héich Liichteffizienz a geréng thermesch Resistenz entwéckelt ginn. D'Erhéijung vun der Kraaft heescht d'Erhéijung vum Stroum, deen vum Chip benotzt gëtt. De méi direkten Wee ass d'Chipgréisst ze vergréisseren. Hautdesdaags sinn High-Power Chips all 1mm × 1mm, an de Stroum ass 350mA Wéinst der Erhéijung vun der Notzungsstroum ass de Problem vun der Wärmevergëftung e prominente Problem ginn. Elo ass dëse Problem am Fong geléist ginn duerch Chip Flip. Mat der Entwécklung vun LED Technologie wäert seng Applikatioun am Beliichtungsfeld eng eemoleg Chance an Erausfuerderung stellen.

Wat ass Flip Chip? Wat ass seng Struktur? Wat sinn hir Virdeeler?

Blo LED benotzt normalerweis Al2O3 Substrat. Al2O3 Substrat huet héich hardness, niddereg thermesch Leit an Leit. Wann déi positiv Struktur benotzt gëtt, op der enger Säit, wäert et antistatesch Probleemer verursaachen, op der anerer Säit gëtt d'Hëtztvergëftung och e grousse Problem ënner héije Stroumbedéngungen. Zur selwechter Zäit, well d'Frontelektrode no uewen ass, gëtt en Deel vum Liicht blockéiert, an d'Liichteffizienz gëtt reduzéiert. Héich Kraaft blo LED ka méi effektiv Liichtoutput kréien wéi traditionell Verpackungstechnologie duerch Chip Flip Chip Technologie.

Déi aktuell Mainstream Flip Struktur Approche ass: éischtens, bereet e grousst Gréisst bloe LED Chip mat enger gëeegenter eutektescher Schweißelektrode, gläichzäiteg bereet e Siliziumsubstrat liicht méi grouss wéi de bloe LED Chip, a produzéiert eng Goldleitend Schicht a Leaddraht Layer (ultrasonic Golddrot Ball solder gemeinsame) fir eutectic Schweess. Dann ginn den High-Power bloe LED-Chip an de Silizium-Substrat mat eutektesche Schweißausrüstung zesumme geschweest.

Dës Struktur ass charakteriséiert duerch datt d'Epitaxialschicht direkt mam Siliziumsubstrat kontaktéiert, an d'thermesch Resistenz vum Siliziumsubstrat ass vill méi niddereg wéi dee vum Saphirsubstrat, sou datt de Problem vun der Wärmevergëftung gutt geléist ass. Well de Substrat vun der Saphir no der Inversioun no uewen ass, gëtt et d'Liichtemittéierend Uewerfläch. De Saphir ass transparent, sou datt de Liichtemittéierungsproblem och geléist gëtt. Dat hei uewen ass dat relevant Wëssen iwwer LED Technologie. Ech gleewen datt mat der Entwécklung vu Wëssenschaft an Technologie LED Luuchten an der Zukunft méi a méi effizient ginn, an hir Liewensdauer wäert staark verbessert ginn, wat eis méi Komfort bréngt.