Wat assgefouert Chip? Also wat sinn hir Charakteristiken? LED Chip Fabrikatioun ass haaptsächlech fir effektiv an zouverlässeg niddereg ohm Kontakt Elektroden ze fabrizéieren, de relativ klenge Spannungsfall tëscht kontaktéierbare Materialien erfëllen, Drockpads fir Schweißdrähten ubidden an esou vill wéi méiglech Liicht emittéieren. De Film Iwwergangsprozess benotzt allgemeng Vakuum Verdampfungsmethod. Ënner 4pa héich Vakuum, ass d'Material duerch Resistenz Heizung oder Elektronenstrahl Bombardement Heizung Method geschmoltenem, an bZX79C18 gëtt Metal Damp an op der Uewerfläch vun semiconductor Material ënner niddereg Drock deposéiert.

Allgemeng enthält de p-Typ Kontaktmetall benotzt Aube, auzn an aner Legierungen, an d'n-Säit Kontaktmetall adoptéiert dacks AuGeNi-Legierung. D'Kontaktschicht vun der Elektrode an der ausgesater Legierungsschicht kënnen effektiv den Ufuerderunge vum Lithographieprozess erfëllen. Nom Photolithographieprozess ass et och duerch den Legierungsprozess, deen normalerweis ënner dem Schutz vun H2 oder N2 duerchgefouert gëtt. D'Legierungszäit an d'Temperatur ginn normalerweis no de Charakteristiken vun de Hallefleitmaterialien an der Form vum Legierungsofen bestëmmt. Natierlech, wann de Chip Elektroden Prozess wéi blo a gréng ass méi komplex, passiv Film Wuesstem a Plasma Ätz Prozess muss dobäi ginn.

Am Fabrikatiounsprozess vum LED Chip, wat Prozess huet e wichtegen Impakt op seng photoelektresch Leeschtung?

Am Allgemengen, no der Réalisatioun vunLED epitaxial Produktioun, seng Haapt elektresch Eegeschafte goufen finaliséiert, an d'Chip Fabrikatioun wäert seng nuklear Natur net änneren, mä ongerecht Konditiounen am Prozess vun Beschichtung an Legierung wäert e puer negativ elektresch Parameteren Ursaach. Zum Beispill, niddereg oder héich Legierungstemperatur wäert e schlechten ohmesche Kontakt verursaachen, wat den Haaptgrond ass fir den héije Forwardspannungsfall VF an der Chipfabrikatioun. Nom Ausschneiden, wann e puer Korrosiounsprozesser um Rand vum Chip duerchgefouert ginn, wäert et hëllefräich sinn d'Réckleckung vum Chip ze verbesseren. Dëst ass well nom Ausschneiden mat engem Diamantschleifradblade méi Dreck a Pudder um Rand vum Chip bleiwen. Wann dës un der PN-Kräizung vum LED-Chip hänke bleiwen, verursaache se elektresch Leckage a souguer Decompte. Zousätzlech, wann de Photoresist op der Chipfläch net propper ass, wäert et Schwieregkeeten am Frontschweißen a falsch Schweißen verursaachen. Wann et op der Réck ass, wäert et och héich Drock erofgoen. Am Prozess vun der Chipproduktioun kann d'Liichtintensitéit verbessert ginn andeems d'Uewerfläch vergréissert an se an ëmgedréint trapezoidal Struktur opdeelt.

Firwat sollten LED Chips a verschidde Gréissten opgedeelt ginn? Wat sinn d'Effekter vun der Gréisst op d'fotoelektresch Leeschtung vun LED?

LED Chip Gréisst kann an Low-Power Chip, Medium Power Chip an High-Power Chip opgedeelt ginn no Kraaft. No Client Ufuerderunge kann et an eenzel Rouer Niveau ënnerdeelt ginn, digital Niveau, Punkt Matrixentgasung Niveau an dekorativen Beliichtung. Wat d'spezifesch Gréisst vum Chip ugeet, gëtt se no dem aktuellen Produktiounsniveau vu verschiddenen Chiphersteller festgeluecht, an et gëtt keng spezifesch Ufuerderung. Soulaang de Prozess passéiert, kann den Chip d'Eenheetausgang verbesseren an d'Käschte reduzéieren, an d'fotoelektresch Leeschtung wäert net grondleeënd änneren. De Gebrauchsstroum vum Chip ass tatsächlech verbonne mat der aktueller Dicht déi duerch den Chip fléisst. Wann den Chip kleng ass, ass de Gebrauchsstroum kleng, a wann den Chip grouss ass, ass de Gebrauchsstroum grouss. Hir Eenheet aktuell Dicht ass am Fong d'selwecht. Bedenkt datt d'Hëtztvergëftung den Haaptproblem ënner héije Stroum ass, ass seng Liichteffizienz manner wéi déi vum nidderegen Stroum. Op der anerer Säit, wéi d'Gebitt eropgeet, wäert d'Kierperresistenz vum Chip erofgoen, sou datt d'Forward op Spannung erof geet.

Wat ass de Beräich vun LED High-Power Chip? Firwat?

Led High-Power Chipsfir wäiss Liicht sinn allgemeng iwwer 40mil um Maart. Déi sougenannte Benotzungskraaft vu High-Power Chips bezitt sech allgemeng op d'elektresch Kraaft vu méi wéi 1W. Zënter datt d'Quanteeffizienz allgemeng manner wéi 20% ass, gëtt déi meescht vun der elektrescher Energie an Hëtztenergie ëmgewandelt, sou datt d'Hëtztvergëftung vum High-Power Chip ganz wichteg ass, an den Chip muss e grousst Gebitt hunn.

Wat sinn déi verschidde Ufuerderunge vun der Chiptechnologie a Veraarbechtungsausrüstung fir GaN epitaxial Materialien ze fabrizéieren am Verglach mam Spalt, GaAs an InGaAlP? Firwat?

D'Substrate vun gewéinleche LED rout a giel Chips an helle Quad rout a giel Chips sinn aus Compound Hallefleitmaterialien wéi Spalt a GaAs, déi allgemeng an n-Typ Substrate gemaach kënne ginn. De naass Prozess gëtt fir Lithographie benotzt, an dann gëtt d'Diamant Schleifradblade benotzt fir den Chip ze schneiden. De blo-grénge Chip vu GaN Material ass e Saphir Substrat. Well de Saphir Substrat isoléiert ass, kann et net als ee Pol vun LED benotzt ginn. Et ass noutwendeg fir p / N Elektroden op der epitaxialer Uewerfläch zur selwechter Zäit duerch dréchen Ätzprozess ze maachen, an e puer Passivéierungsprozesser. Well Saphir ganz schwéier ass, ass et schwéier Chips mat Diamant Schleifrad Blade ze zéien. Säin technologesche Prozess ass allgemeng méi a komplex wéi dee vun LED aus Spalt a GaAs Materialien.

Wat ass d'Struktur an d'Charakteristike vum "transparente Elektroden" Chip?

Déi sougenannt transparent Elektrode soll konduktiv an transparent sinn. Dëst Material gëtt elo wäit an de Flëssegkristallproduktiounsprozess benotzt. Säin Numm ass Indium Zinnoxid, wat als ITO ofgekierzt gëtt, awer et kann net als Lötpad benotzt ginn. Wärend der Fabrikatioun gëtt ohmic Elektroden op der Uewerfläch vum Chip gemaach, da gëtt eng Schicht ITO op der Uewerfläch bedeckt, an dann eng Schicht Schweesspad op der ITO-Uewerfläch plated. Op dës Manéier gëtt de Stroum vum Lead gläichméisseg op all ohm Kontaktelektrode duerch d'ITO Schicht verdeelt. Zur selwechter Zäit, well de Brechungsindex vum ITO tëscht dem Brechungsindex vun der Loft an dem epitaxialen Material ass, kann de Liichtwénkel verbessert ginn an de Liichtflux kann erhéicht ginn.

Wat ass den Mainstream vun der Chiptechnologie fir Hallefleitbeliichtung?

Mat der Entwécklung vun der Halbleiter LED Technologie ass seng Uwendung am Beräich vun der Beliichtung ëmmer méi, besonnesch d'Entstoe vu wäiss LED ass e waarme Fleck vun der Hallefleitbeliichtung ginn. Wéi och ëmmer, de Schlësselchip a Verpackungstechnologie musse verbessert ginn. Wat den Chip ugeet, solle mir eis Richtung héich Kraaft, héich Liichteffizienz entwéckelen an d'thermesch Resistenz reduzéieren. D'Erhéijung vun der Kraaft bedeit datt de Gebrauchsstroum vum Chip erhéicht gëtt. De méi direkten Wee ass d'Chipgréisst ze vergréisseren. Elo sinn déi gemeinsam High-Power Chips 1mm × 1mm oder sou, an de Betribsstroum ass 350mA Wéinst der Erhéijung vum Gebrauchsstroum ass d'Wärmevergëftungsproblem e prominente Problem ginn. Elo ass dëse Problem am Fong geléist duerch d'Methode vum Chip Flip. Mat der Entwécklung vun der LED Technologie wäert seng Applikatioun am Beräich vun der Beliichtung eng eemoleg Chance an Erausfuerderung stellen.

Wat ass Flip Chip? Wat ass seng Struktur? Wat sinn hir Virdeeler?

Blo LED adoptéiert normalerweis Al2O3 Substrat. Al2O3-Substrat huet héich Hardness a geréng thermesch Konduktivitéit. Wann et eng formell Struktur adoptéiert, bréngt et engersäits antistatesch Problemer; op der anerer Säit wäert d'Hëtztvergëftung och e grousse Problem ënner héije Stroum ginn. Zur selwechter Zäit, well d'Frontelektrode no uewen ass, gëtt e bësse Liicht blockéiert, an d'Liichteffizienz gëtt reduzéiert. Héich Kraaft blo LED ka méi effektiv Liichtoutput duerch Chip Flip Chip Technologie kréien wéi traditionell Verpackungstechnologie.

Am Moment ass d'Mainstream Flip Chip Struktur Method: als éischt, bereet e grousse bloe LED Chip mat eutektesche Schweißelektrode vir, bereet e Siliziumsubstrat liicht méi grouss wéi de bloe LED Chip, a maacht eng Goldleitend Schicht a féiert Drahtschicht aus ( Ultraschall Golddrot Ball solder joint) fir eutetesch Schweißen op et. Dann ginn den High-Power bloe LED-Chip a Silizium-Substrat matenee geschweest duerch eutetesch Schweißausrüstung.

D'Charakteristik vun dëser Struktur ass datt d'Epitaxialschicht am direkte Kontakt mam Siliziumsubstrat ass, an d'thermesch Resistenz vum Siliziumsubstrat ass vill manner wéi déi vum Saphirsubstrat, sou datt de Problem vun der Wärmevergëftung gutt geléist gëtt. Well de Saphir-Substrat no uewen no der Flipmontage steet, gëtt et eng liicht emittéierend Uewerfläch, an d'Saphir ass transparent, sou datt de liichtemittéierende Problem och geléist gëtt. Dat hei uewen ass dat relevant Wëssen iwwer LED Technologie. Ech gleewen datt mat der Entwécklung vun der Wëssenschaft an der Technologie déi zukünfteg LED-Lampen ëmmer méi effizient ginn, an d'Liewensdauer wäert staark verbessert ginn, wat eis méi Komfort bréngt.